IBIS_LVDS
同事发现V6的lvds_25模型有点问题，让我帮忙看看。
由此产生此篇分析文章。
使用模型：LVDS_25，LVDSEXT_25P/N都可以使用，区别在于drive capability and voltage swing；
seen by pin:
LVDS_25
LVDSEXT_25
SSTL2_II_DCI
观察DIE
可以看出单调性问题不存在。
改变：
C_comp 6.229pF 4pF 6.233pF
C_comp 6.229pF 1pF 6.233pF
波形没有发生改善。
再看寄生参数：
修改为：(typ)
红色为修改后的波形，可以看出单调性略有改善，但并不明显，可以看出单调的主要原因并不是TD导致；
把R_pkg改小，
波形基本未发生变化。
原来是参数调整出错，应该对接受端的器件进行修改，再次对三种情况分析：
1.修改C_comp 6.229pF 4pF 6.233pF
改动前后波形未发生变化；
2.改变L-pkg,C_pkg
3. 改变R_pkg
波形基本没有变化，因此波形的单调性主要与寄生电感与寄生电容有关，与寄生电阻关系微互其微。
最后再对比一下小寄生参数下的pin的波形与die的波形：
波形基本一致,那就可以得出很明显的结论。
而 overshoot & undershoot主要是由芯片内部产生。
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阻交流：在
如何制作耦合电感大家好请问一个问题我需要绕一个耦合电感L14uHL2220uH互感30uH在同一个磁芯上饶那么L2至少得绕55圈啊
麻烦大家了
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