升压电路 功率电感计算
整流滤波后 DC电压为11.2~21V;
最大占空比 (V0-Vi)/V0=(36-11.2)/36=0.6888
周期=1/f=5.5us
导通时间： 5.5X0.688=3.788
伏秒数：V0xTon =11.2x3.7888=42.43us
先写出临界模式BCM时的各公式
D=1-Vi/Vo
1-D=Vi/Vo
Dmin=1-(21/36)=0.417
Dmax=1-(11.2/36)=0.689
dI=2*Io=0.4A
f=180kHz
L=(Vo*(1-D))/(f*dI)
如果设计的是DCM模式
L<(Vo*(1-Dmax))/(f*dI)=(36*(1-0.689))/(180000*0.4)=156uH
L不能取得太小，因为电感减小，峰值电流会增大，要注意开关的承受能力。但是如果L取得太大，电源瞬态特性会变差，所以要根据实际应用来选取
如果设计的是CCM模式
L>(Vo*(1-Dmin))/(f*dI)=(36*(1-0.417))/(180000*0.4)=292uH
如果这个电感很大，电流纹波会减小，但瞬态特性变差了，反之，所以要权衡。
这里是按200mA输出电流计算的，如果是200mA负载，应该要设计点余量
非常感谢！ 那输入输出电容怎样选择，原理图那规格是 估上去的，是否OK
分析得很好。赞一个。
具体计算
已知参数：
输入电压：12V --- Vi
输出电压：18V ---Vo
输出电流：1A --- Io
输出纹波：36mV --- Vpp
工作频率：100KHz --- f
1：占空比
稳定工作时，每个开关周期，导通期间电感电流的增加等于关断期间电感电流的减少，即Vi*don/(f*L)=(Vo+Vd-Vi)*(1-don)/(f*L),整理后有
don=(Vo+Vd-Vi)/(Vo+Vd),参数带入，don=0.572
2：电感量
先求每个开关周期内电感初始电流等于输出电流时的对应电感的电感量
其值为Vi*(1-don)/(f*2*Io)，参数带入，Lx=38.5uH,
deltaI=Vi*don/(L*f)，参数带入，deltaI=1.1A
当电感的电感量小于此值Lx时，输出纹波随电感量的增加变化较明显，
当电感的电感量大于此值Lx时，输出纹波随电感量的增加几乎不再变小，由于增加电感量可以减小磁滞损耗，另外考虑输入波动等其他方面影响取L=60uH，
deltaI=Vi*don/(L*f),参数带入，deltaI=0.72A，
I1=Io/(1-don)-(1/2)*deltaI,I2= Io/(1-don)+(1/2)*deltaI，
参数带入，I1=1.2A,I2=1.92A
3：输出电容：
此例中输出电容选择位陶瓷电容，故 ESR可以忽略
C=Io*don/(f*Vpp),参数带入，
C=99.5uF，3个33uF/25V陶瓷电容并联
4：磁环及线径：
查找磁环手册选择对应峰值电流I2=1.92A时磁环不饱和的适合磁环
Irms^2=(1/3)*(I1^2+I2^2-I1*I2)，参数带入，irms=1.6A
按此电流有效值及工作频率选择线径
其他参数：
电感：L 占空比：don
初始电流：I1 峰值电流：I2 线圈电流：Irms
输出电容：C 电流的变化：deltaI 整流管压降：Vd
DC3V~30V输入，DC15V输出电源电路各位好,想请教一下是否有DC3V~30V输入，DC15V输出电源电路或IC可以给我参考呢?
3V输入的话，要用低压MOSFET了。但是IC可能就不怎么好选了。
猜猜RCC电路不知道能做到不。
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