MOSFET管的DS上并联电容与效率有关系吗?
现在的问题是:
MOSFET上的关断剑锋比较高,Vpeak大约为90V,如在每个MOSFET0.04uF左右的电容,Vpeak大约在71V左右.但是开关管比较热.
请教一下各位大侠:MOSFET管的DS上并联电容与效率有关系?
我的理解:不并电容,MOSFET的关断损耗比较大?并电容,MOSFET的开通损耗会比较大,但是那一种会占主要的呢?谢谢! 自己顶一下! 并了电容,关断损耗就能小了吗? 当并联了电容后,MOSFET的VDS关断时的Vpeak由90V左右降为71V左右,而电流没没有什么变化,我认为关断损耗应该减少.您认为呢? 峰值电压时降低了,因为电容充电需要时间,那么关断时间的延长,是不是也导致了关断损耗的增加? 上升的速度是变缓了,但是电流的关断时间没有发生太大变化(电流的下降时间主要取决于谐振电感与变压器的漏感),电压上升的过程中,电流已经下降到零.该电流波形我测试过,因此我认为关断损耗应该下降了不少.
但是电容太大,MOSFET管开通时,需要经过MOSFET将并联电容上的能量放掉(1/2CU2),如果再乘一个开关频率,也就是计算1s内电容上需要通过MOSFET释放的能量,那就比较大了.
但有什么方法可以兼顾呢? 学习了，谢谢 各位高手帮我顶顶! ding 难道就没有高手碰到这个问题,还是大家不愿赐教? 并联一个电容相当于MOS管的极间电容变大,这样开通和关断时间就会延长,导致损耗增加,一般都是加RCD吸收. 我使用的电路是移相全桥电路,移相全桥很少有在DS上加RCD吸收的,加RCD是否效率更低?我的这个电源输入是一个低压大电流的情况. 那吸收一般采用去磁绕组吧,有电路图吗?方便上传吗? 什么去磁绕组?能够说明白一点,谢谢!
我采用就是一个很普通的移相全桥电路,控制芯片采用的是UCC3995,由于输入电压很低且输入电流很大,故没有增加谐振电感,其变压器的漏感足以满足MOSFET中DS上节电容与并联电容谐振的需要.我还采用的是两个MOSFET并联的方式,以降低功率管的导通损耗.但效率也不是很高,只有89%左右.
其实我在滞后臂也采用了RCD吸收,因为剑锋快100V了,增加RCD变为了72V左右.增加后感觉软开关不象软开关,有些不伦不类的感觉. 增加电容肯定可以减少PEAK Voltage,但是问题是效率会降低一点点.而且,电容容量不可太大.去磁绕组不可行的. 我用的是LLC谐振拓扑，在MOS上并了一个471电容，根椐P=1/2CV方*f,算出来，这里的损耗在半载时有3W多，150W的机子，有点儿吓人
太大了，47 就差不多了
没有做过升压的，不过我们以前的移相全桥都有谐振电感的，开关没有并电容，用的RD吸收 同问，求高手 楼主要不要换个MOS试一下啊,IXYS公司的IXTP130N10T(130A,100V)Rds<=8.5hom ,Rds typ=7.0hom,我相信如果Rds低一些,应该对提高效率有所帮助.而且该型号的Ciss=4100Pf,小于STW120N10的5200pf.如果有兴趣请联系sam@szapl.com我以前做24V升360V移项全桥也出现过这种情况。当时用的是IR的一种管子，三只并的。我觉得你现在的关键问题不是怎么去吸收这个尖峰，而是降下来。尖峰大关断损耗大。因为你现在是移相全桥，是软开启的，也就是说没有开启损耗的，可以并联电容去吸收损耗。而并联电容还有一个好处就是可以减小关断损耗。也是就关断时延长了电压上升的时间的，而电流下降的时间没有变，电流电压的交点变低，损耗也会变小。但是，由于你这个地方的输入电流很大，并联电容后，由于电容ESR的存在，电容上也会消耗功率，电容会很热，甚至裂开。我当时就出现过这种情况。
我觉得你可以考虑看一下你的驱动，如果你的驱动电阻小的话，开关速度很快，那么关断的尖峰当然会大，加电容只是不得已而为之的办法，得从根本上解决。一般情况下，MOS的驱动波形从0V上升到10V在500ns附近比较合适，太慢会导致在死区时间内关断不了，造成上下管直通，太快电压尖峰会很高，关断损耗也会很大，因为电流和电压交汇点太高。
在不并电容的情况下将尖峰调到很小，然后并联较小电容去延长电压下降时间，减小关断损耗。我们现在超前臂并联的电容是682，滞后臂是222，24V输入情况下电压尖峰是28V，比较理想，三分之一载时DS间关断时电压升到最高用的时间是600ns。MOS管的型号是IRFB4110，Rg为22欧。
希望能给你点帮助，如果不对的地方请大家轻拍，谢谢！
这个有什么关系嘛?并联的电容应该是起到一个snubber的作用 贴片电容进来学习 顺便顶一下
首先，需要搞清楚的是，并联电容后使你的电压尖峰下降，这就说明了电容中储存了大量的能力，这个能量怎么释放？必然就要通过你的MOS管，所以你的管子发热就不足为奇了。
不知道各位有没有遇到过在DS脚加了电容MOS的温升还小一些，效率还高一些的
我遇到过，确实可以提高效率，和减小温升，不过漏极波形振荡厉害
对EMI问题有很大改善，吸收了一定的尖峰，应该会影响效率大电流电感
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