用于车载USB供电的NCV8852（一）
一前言 在目前的车载娱乐系统中，USB接口已经成为系统的标配。
随着大电池容量的便携设备的流行，做为车载充电接口的USB电源，需要提高更大的电流以满足设备的需要。
目前主流方案中，单个USB口的负载能力需要达到2.5A。
车载USB系统的架构为：从汽车蓄电池取电，经过降压电路后得到5V的稳定电源，提供给USB的VBUS。
汽车蓄电池的电压并不是一个稳定的电压，其变化范围是非常大的，以小型乘用车为例，其蓄电池电压典型值为13V，电压范围为9~16V，在启停等恶劣情况下，会低至6V，甚至更低。
不少整车厂对USB电源有着非常严苛的要求，6V电池电压下要保证5V输出，考虑到输入端的反极性保护及线损，USB电源的输入端电压会更低。
这对车载USB电源的设计是个挑战。
Buck电路是最常用的降压开关电源。
图1所示为非同步的Buck电路。
图1.非同步buck电路结构其工作原理为，当上管S1开通时，电源VIN向负载供电，电感L1储能，电感上的电压为VIN-VO.当上管S1关闭后，电感L1向负载提供能量，电感上的电压为-VO.图二所示为电流连续模式下的BUCK电路的工作原理及波形。
根据电感伏秒平衡可以得到
…………（1）
最后可以解出
图2.电流连续模式下的非同步buck的工作原理常用的BUCK电路，出于成本考虑，会选用N沟道MOSFET.但是在车载USB电源的应用中，成本较高的P沟道MOSFET却更有优势。
根据公式2，如果需要实现在VIN=5.7V下，保证VO=5V.那么最大占空比为，
88%只是理想情况下的理论计算值。
实际中，需要考虑续流二极管D1的压降，开关管S1的导通压降，以及电感L1的直流阻抗的压降，如图3所示。
开关管闭合时，不考虑电流纹波，电感上的电压为：
…………（3）
其中，IO为输出电流，Rdson为上管MOSFET的导通电阻，DCR为电感的直流阻抗。
开关管管断开时，不考虑电流纹波，电感上的电压为：
…………（4）
VD为二极管的正向压降
图3.考虑寄生参数的非同步Buck电路工作原理根据电感的伏秒平衡，可以得到实际的占空比为：
…………（5）
取VIN=5.7V，VO=5V，IO=2A，VD=0.3V， Rdson=50m？， DCR=70m？，可以计算所需要的占空比为：
如果选择N沟道MOSFET做为开关S1，驱动电压要高于VIN，需要用自举电路，通过每个周期对自举电容充电来驱动NMOS，这种驱动结构在如此大的占空比的应用中问题很多。
而采用P沟道MOSFET，通常可以做到100%的占空比，即常开。
在常开的情况下，我们可以得到：
…………（6）
取VO=5V，IO=2A，VD=0.3V， Rdson=50m？， DCR=70m？，可以得到该情况下，输入电压最低可为：
二。
基于NCV8852的车载USB电源设计 NCV8852是一款外接P沟道MOSFET的非同步BUCK控制器。
输入电压可高达44V，适用于12V蓄电池系统。
采用峰值电流控制，系统易于稳定，响应快。
可通过在ROSC管脚外接电阻将工作频率设定在100kHz到500kHz.图4为NCV8852的典型应用电路。
ISNS管脚检测上管电流，用于峰值电流控制以及过流保护。
COMP管脚为误差放大器的输出，外接RC电路以补偿环路。
图4. NCV8852的典型应用电路用NCV8852设计USB电源，输入电压范围VIN=5.7~16V，典型值VIN_TYP=12V，输出电压VO =5V，输出电流IO=2.5A，工作频率fs=170kHz. Buck电路工作的最恶劣条件为输入电压最高时，此时其电流纹波最大，峰值电流最高。
1.设定工作频率NCV8852的工作频率，可根据如下公式设定：
…………（7）
当设置为170kHz时，将ROSC开路即可。
2.占空比最高工作电压下，占空比最小为：
3.选择电感 电感主要有纹波电流ΔI决定。
通常将ΔI设定为典型输入电压下，最大输出电流的30%~50%，这里取为30%.
考虑30%的裕量，选取电感的直流电流大于3.2A，饱和电流大于3.9A.选取WURTH电感744770122，感值22uH，直流电阻45m？，最大直流电流4.1A，最大饱和电流5A. 4.选取电流检测电阻
…………（11）
VCL：过流门限电压，为100mV.ICL：过流保护电流值，设定限流值为最大峰值电流的1.3~1.5倍。
选取25m？采样电阻，过流保护值设为4A. 5. MOSFET选择MOSFET承受的最高电压为VINMAX ，考虑到抛负载保护，选取耐压40V以上的MOS.MOSFET的损耗，可由以下公式估算，导通损耗：
tON， tOFF为MOSFET开通和关断时间。
ISINK：为驱动下拉电流，NCV8852的驱动下拉电流典型值为200mA.
ISRC：为驱动的输出电流，NCV8852的驱动输出电流典型值为200mA
选取ONSEMI的NVTFS5116PL，耐压60V，导通电阻Rdson=52m？@VGS=10V， QGD=8nC，封装u8FL，参考热阻（芯片结温到环境温度）47OC/W.由QGD可先计算出MOSFET的开通关断时间为：
计算MOSFET功耗：在最高输入电压下
TA_MAX为最大环境温度，车载USB电源一般要求为85oC.150oC为最大结温。
在最低输入电压下
MOSFET的结温为
6.续流二极管的选择续流二极管上的最大反向压降为VINMAX ，流过二极管的最大峰值电流为2.96A，流过二极管的最大平均电流为
…………（18）
建议二极管正向电流为流过二级管的平均电流的1.5倍。
这里选取ONSEMI的MBRA340, 最大正向平均电流为3A， 反向耐压40V， SMA封装，参考热阻为81oC/W。
2.5A，100oC结温时的正向导通压降约为0.32V
二极管损耗（忽略寄生电容产生的损耗）为：
L6599A 应用振荡响声求解 求教：产生以下噪声频率的原因是什么？
1. 功能
充电器 L6562A+L6599A LLC方案 额定输出24V/300W
2. 应用原理框图
如附件系统原理图
3. 振荡描述
功率器件IGBT应用中的常见问题解决方法
1 引言
80年代问世的绝缘栅双极性晶体管IGBT是一种新型的电力电子器件，它综合了gtr和MOSFET的优点，控制方便、开关速度快、工作频率高、安全工作区大。随着电压、电
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