好吧。关于MOS管。我已经彻底晕了!开关模式和线性模式?
1.说开关模式的开状态是对应MOS管的饱和区么?那么从ID=f(VDS)的特性曲线上来看,饱和区需要VDS有一定压降,但是又说开通状态MOS管压降很小VDS接近于0?
2.VGS>4v只是大于开启电压,并没有让管子完全导通,要9V以上才能完全导通?VGS和饱和区有个P关系啊,从特性曲线上看,只要VDS>一定值,VGS>4V就到饱和区了,为什么要到9V才完全导通?
看这个东西看了一天了,网上好多人说的不一样,这个说他说的不对,那个说他说的不对,完全晕了啊。
到底是怎样的啊?
附上一张IRF520n,大功率MOS的特性曲线。
这个曲线图是特定的测试电路的出来的,在器件手册里有测试电路图。
VGS你想象成水龙头的开关,把水龙头开关从最小拧到最大,看水流的情况你应该可以明白上面曲线的意思。
VDS你想象成水压。
以上愚论,仅供参考。
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guangbiao发表于2013-11-416:17
这个曲线图是特定的测试电路的出来的,在器件手册里有测试电路图。
VGS你想象成水龙头的开关,把水龙头开关...
这样想了一下确实很好理解了。
那么,还是想纠结一下,比如VGS=10v,这时候完全导通,那么ID是由VGS决定的呢,还是有电路中其他元件决定?这时候MOS管是工作在哪一个区域?
VGS=10V,ID是由VDS决定的,但不能超过器件规定的电流最大值,不然管子要烧掉。
MOS管作为开关使用时,主要是工作在饱和区及截止区。
若做放大用,主要是工作在线性区。
你可以理解成拧水龙头的动作,如果你非常快速的拧水龙头开关,从水龙头流出的水流,要不就是没有,要不就是很大,这就是工作在饱和区及截止区;如果你慢慢的拧水龙头开关,那水龙头流出的水流,变化就比较"有规律",这就是工作在线性区。
以上愚见,仅供参考。
guangbiao发表于2013-11-416:17
这个曲线图是特定的测试电路的出来的,在器件手册里有测试电路图。
VGS你想象成水龙头的开关,把水龙头开关...
通俗一等
本帖最后由luofeng2g于2013-11-421:04编辑
mos作为开关管,导通时工作在可变电阻区。
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如下:
再不懂,就自己去看//bbs.专注于大电流电感设计、制造:电话 :181-2638-2251/forum.php?mod=viewthread&tid=336308
yf823547490发表于2013-11-416:53
这样想了一下确实很好理解了。
那么,还是想纠结一下,比如VGS=10v,这时候完全导通,那么ID是由VGS决定的...
工作于可变电阻区。
ID基本由外电路决定。
开关模式工作于可变电阻区和截止区
LS正解……
谢谢大神们的回复,明白了很多东西。
这里得出一个结论性的东西,大神们看对么:1.无论VGS多少,MOS管都可以工作在可变电阻区:只要VGS(>vt)决定的最大ID,大于外部电路的需求。
此时ID由外部电路决定。
VDS也由外部电路决定,RDS=VDS/ID.而RDS(on)参数给出的只不过是特定ID,VGS情况下的参考值。
2.当VGS决定的最大ID,小于外部电路的需求时,ID=VGS所决定的最大ID,VDS由外部电路决定。
RDS同样=VDS/ID。
拿一个例子来说明
灯泡的额定电流为4A,
1.如果此时令VGS=4.5V,所决定的的最大ID=1A,小于灯泡需要的额定电流,那么此时ID=1A,灯泡上分到的压降约为3V,剩下的9V就会分到VDS,所以对应于VDS=9v,VGS=4.5V,ID=1A,MOS管工作在饱和区,这时候RDS=VDS/ID,就很大,功率很大,所以发烫。
2.如果此时令VGS=5V,所决定的的最大电流ID=4.2A,满足灯泡需要的额定电流,那么此时ID由外部电路即灯泡决定,ID约为4A,灯泡上分到的压降接近于12V,所以VDS上的压降就接近于0,其对应的RD就很小,相当于导通状态。
(但是由于VGS=5V,VDS很小的话,对应的ID不一定就能达到4.2A了,所以网上说9V才能完全导通,就是因为VGS越大,同样VDS条件下,ID越大,9V达到最大,保证ID可以达到需求。
)
好吧,这总结有些磕磕巴巴的。
5V的时候,最大电流ID=4.2A,是在VDS>(VGS-VT)的条件下。
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如果VDS小于VGS-VT.对应相应曲线,不一定能达到最大电流4A的。
所以VGS越大越好,相同VDS下对应能达到的ID越大;。
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好绕啊,其实就和VGS增大,RDS减小,保证VDS
楼主的思路是正确的。
通常Vgs是主动控制的,Id是由外部电路决定,Vds是被动接受的。
当外部电路需求的Id值超出了Vgs所能提供的,MOS由饱和区进入线性电阻区。
james1111发表于2013-11-514:25
楼主的思路是正确的。
通常Vgs是主动控制的,Id是由外部电路决定,Vds是被动接受的。
当外部电路需求的Id值...
应该是由线性电阻区进入饱和区吧
yf823547490发表于2013-11-510:44
谢谢大神们的回复,明白了很多东西。
这里得出一个结论性的东西,大神们看对么:1.无论VGS多少,MOS管都可...
总结得不错
应该称为可变电阻区,不该称为线性电阻区
这贴子太有含量了
类似于三极管的偏置电流,基极控制集电极
yf823547490发表于2013-11-510:44
谢谢大神们的回复,明白了很多东西。
这里得出一个结论性的东西,大神们看对么:1.无论VGS多少,MOS管都可...
u^2(R灯泡+RMOS),UGS越大,RMOS越小,当然I恒肯定越大,但是RMOS:R灯泡减小了,整体的电路功率增大,但是MOS比例功率减小,相对不热,起码不会烫。
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