buck开关电源 MOS管驱动问题
本帖最后由shuiqinghan2012于2013-8-1512:15编辑
我想做一个8-12V输入，典型输入10V，输出6V2A的降压型开关电源，这是我的主电路，PWM为100Khz，控制电路用tl494，
在测试时图中IRF540G级加入PWM波，峰值10V，电流1A作用是MOS管发热严重，而且烧毁了2个，考虑到是因为驱动不行，加入了TPS2812驱动，
上升时间18ns左右，还是很烫，我是觉得我那个MOS管接的有问题，没有续流这些的考虑，那位大侠知道怎么解决？
这个是我最先焊接的驱动，输出过冲很大，有很大尖峰，
这个是数据手册上的测试电路，我按这个焊了，基本没波形了，去掉前面的50oum电阻就行了，但是尖峰还是有点大，最后用的是去掉电阻的电路。
这电路用N沟道MOSFET得使用自举电路
对,要考虑自举电路,楼主可以把MOS的驱动电路的图传上来吗,可以告诉你怎么改
楼主是没有看过N-MOS管特性吗？Vgs要多少V不知道么？
omi_liang发表于2013-8-1512:07
楼主是没有看过N-MOS管特性吗？Vgs要多少V不知道么？
２－４Ｖ，那个ＰＷＭ波5V就可以，只是TPS2812出来就10V了
airwill发表于2013-8-1512:02
对,要考虑自举电路,楼主可以把MOS的驱动电路的图传上来吗,可以告诉你怎么改...
传上去了，你看看怎么改
本帖最后由airwill于2013-8-1512:34编辑
VCC4.7uF应该可以了,
如果输出占空比不是很高的话,
简单地,在电源脚与vcc之间串入一个超快恢复的二极管.我再看一下2811的手册
手册有个参数,Supplyvoltage,VCC−0.3Vto15V.看样子这样连接还是有问题.
另外这个芯片的输入电平也跟VCC有关.看来前面加晶体管或光藕驱动,要浮地才可以正常工作.
shuiqinghan2012发表于2013-8-1512:09
２－４Ｖ，那个ＰＷＭ波5V就可以，只是TPS2812出来就10V了
２－４Ｖ是VGS的电压，不是VG的电压
你的驱动电路没办法保证VGS电压>4V，也就是说没办法让MOS管饱和导通，MOS管目前是处于放大状态，所以很烫。
NMOS要用高端的驱动器或加自举电路。
尖峰大可以在G极串电阻减小。
搞不定自举就不要折腾了，换PMOS吧
lyjian发表于2013-8-1512:50
２－４Ｖ是VGS的电压，不是VG的电压
你的驱动电路没办法保证VGS电压>4V，也就是说没办法让MOS管饱和导通...
嗯，我明白你的意思了，但是不知道怎么解决，查了一下自举电路，
这个电路中Ho和Vb没有联系怎么升压？
MOS-功率驱动集成电路中自举元件的选择.pdf(148.27KB,下载次数:160)2013-8-1513:26上传
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我自己在看看
李冬发发表于2013-8-1512:00
这电路用N沟道MOSFET得使用自举电路
谢谢，我才刚了解这个词，有没有好点的例子推荐一下
shuiqinghan2012发表于2013-8-1512:09
２－４Ｖ，那个ＰＷＭ波5V就可以，只是TPS2812出来就10V了
是Vgs，我想问，你电路上Vs为多少V，Vg为多少V，Vgs为多少V呢？
shuiqinghan2012发表于2013-8-1513:27
嗯，我明白你的意思了，但是不知道怎么解决，查了一下自举电路，
这个电路中Ho和Vb没有联系怎么升压？
搜一下IR21XX比如IR2110,IR2104等看下内部框图就知道了
不亦心发表于2013-8-1513:07
搞不定自举就不要折腾了，换PMOS吧
这会只有nmosIRF540和640了，Pmos直接可以输入？
shuiqinghan2012发表于2013-8-1513:51
这会只有nmosIRF540和640了，Pmos直接可以输入？
高边驱动，PMOS比较简单
只有NMOS，可以浮地驱动，可以自举驱动，可以变压器驱动。
。
。
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不亦心发表于2013-8-1513:49
搜一下IR21XX比如IR2110,IR2104等看下内部框图就知道了
嗯，看到了
omi_liang发表于2013-8-1513:42
是Vgs，我想问，你电路上Vs为多少V，Vg为多少V，Vgs为多少V呢？
Vs=Vo=6V，Vg=10V，我用10Vpwm波，Vgs=4V这样可以驱动啊
lyjian发表于2013-8-1512:50
２－４Ｖ是VGS的电压，不是VG的电压
你的驱动电路没办法保证VGS电压>4V，也就是说没办法让MOS管饱和导通...
你说的是对的，我刚才测了一下，我的Vgs只有0.5V左右
围观啊
谢谢分享啊
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