PMOS+NMOS 功率管驱动电路MX8324
PMOS+NMOS 功率管驱动电路特性● 低待机电流● 电源电压范围:16V~30V● 开关速度快:<500ns @C Load =1nF● 可直接驱动PMOS+NMOS功率管● 集成78L05● 抗静电能力:2KV(HBM)● 工作温度范围:-20℃~+80℃● 封装:提供SOP16 DIP16两种封装描述MX8324C功率管驱动电路内部包含 3 路 NMOS功率管驱动电路、3 路 PMOS 功率管驱动电路。
电路内部集成了 78L05 三端稳压器,可提供稳定的 5V 输出电源。
该电路在工作电压为 24V 时,内部控制电路可使 PMOS功率管开启时的栅极电压为 12V 左右(即 PMOS 功率管的 VGS 电压约为-12V)。
另外采用本集成电路可实现 NMOS、PMOS 的快速导通关断,延迟、导通关断时间均在 500ns 以内(负载电容为 1nF 条件下)。
应用三相电机 PMOS、NMOS 功率管驱动有兴趣请+Q 3040013598规格书资料下载:PMOS+NMOS功率管驱动电路 - MX8324C(REV1.0).pdf(669.48 KB, 下载次数: 281)2019-12-12 16:36 上传点击文件名下载附件典型应用:三相电机 PMOS、NMOS 功率管驱动相比你们的IC,我觉得还是自己用分立元件搭更灵活可靠些。
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戈卫东 发表于 2019-12-12 18:51相比你们的IC,我觉得还是自己用分立元件搭更灵活可靠些。。
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电路中的电容滤波问题解析 电感的阻抗与频率成正比,电容的阻抗与频率成反比,所以,电感可以阻扼高频通过,电容可以阻扼低频通过。二者适当组合,就可过滤各种频率的信号。如在整流电路中,将电容并在负载
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