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汽车电子电源保护电路设计攻略 —电路图天天读(143)

2017-05-10 07:16:54      点击次数:
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  图 1:以简单性为特点的无源保护网络

  无源网络的主要缺点是它依靠烧断保险丝来防止过流、过压和电池反向造成损害。另一个缺点是,它依靠电解电容实现箝位。这种电容器老化以后,电解质会变干,等效串联电阻(ESR)提高的特性也就消失了,这会损害箝位效果。有时D1采用大的齐纳二极管以帮助这个电容器发挥作用。人们已经设计出了有源电路来克服这些缺点。

  有源电路

  图2显示了一个有源解决方案,该方案用于屏蔽敏感电路,使其免受变化不定的12V汽车系统的影响。采用LT1641($2.5125)来驱动输入N沟道 MOSFET,而上述提供无源解决方案就不具备这种附加保护:首先,LT1641在输入低于9V时断开负载,以防在低输入电压时系统失灵,并在起动时或充电系统出现故障时,减少系统向非关键负载提供宝贵的电流的机会;其次,LT1641在首次加电时逐渐升高输出电压,对负载实行软启动;第三,通过限流和定时断路器保护输出免受过载和短路影响。如果发生电流故障,断路器就以1至2Hz的速率自动重新尝试建立连接,可以设定保护电路上行线路保险丝的容限,让它在LT1641的下行线路出现电流故障时不熔化;最后,图2所示电路隔离出现在输入端的过压状态,同时提供箝位输出,以便负载电路在出现过压时能继续正常工作。

  在12V输入的通常情况下,LT1641将MOSFET的栅极充电至大约20V以充分提升MOSFET的电压,并向负载提供电源。27V齐纳二极管D1的两端分别连接栅极与地,但是在9至16V的工作电压范围内不起作用。当输入升高到超过16V时,LT1641继续给MOSFET的栅极充电,试图保持MOSFET完全接通。如果输入升得太高,齐纳二极管就会对MOSFET的栅极箝位,并将输出电压限制在大约24V。LT1641本身在其输入端能够处理高达100V的电压,而且不受栅极箝位动作的影响。栅极箝位电路比无源解决方案的箝位电路精确得多,而且简单地通过选择一个具有合适击穿电压的D1,就可大电流电感

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