过流短路保护对逆变电源的重要性
再看IC3C组成的短路保护电路,原理和过流保护差不多,只是延时的时间比较短,C19的容量很小,加上LM339的速度很快,可以实现短路保护在几个微秒内关断,有效地保护了高压MOS管的安全。顺便说的一点是短路保护点要根据MOS管的ID,安全区域和回路杂散电阻等参数设计。一般来说电流在ID以内,动作时间在30微秒以内是比较安全的。
IGBT的驱动和短路保护
IGBT作为一种新型的功率器件,具有电压和电流容量高等优点,开关速度远高于双极型晶体管而略低于MOS管,因而广泛地应用在各种电源领域里,在中大功率逆变器中也得到广泛应用。
IGBT缺点,一是集电极电流有一个较长时间的拖尾——关断时间比较长,所以关断时一般需要加入负的电压加速关断;二是抗DI/DT的能力比较差,如果像保护MOS管一样在很大的短路电流的时候快速关断MOS管极可能在集电极引起很高的DI/DT,使UCE由于引脚和回路杂散电感的影响感应出很高的电压而损坏。
IGBT的短路保护一般是检测CE极的饱和压降实现,当集电极电流很大或短路时,IGBT退出饱和区,进入放大区。上面说过这时我们不能直接快速关断 IGBT,我们可以降低栅极电压来减小集电极的电流以延长保护时间的耐量和减小集电极的DI/DT.如果不采取降低栅极电压来减小集电极的电流这个措施的话一般2V以下饱和压降的IGBT的短路耐量只有5μS;3V饱和压降的IGBT的短路耐量大约10-15μS,4-5 V饱和压降的IGBT的短路耐量大约是30μS.
还有一点,降栅压的时间不能过快,一般要控制在2μS左右,也就是说为了使集电极电流从很大的短路电流降到过载保护的1.2-1.5倍一般要控制在2μS 左右,不能过快,在过载保护的延时之内如果短路消失的话是可以自动恢复的,如果依然维持在超过过载保护电流的话由过载保护电路关断IGBT.大电流电感
将电磁感应加热应用的IGBT功率损耗降至最低 作者:安森美半导体 Alan Ball
近年来,人们使用的电器产品数量不断增多,致使每个家庭内的总能耗稳步上升,不仅大多数西方国家是这样,新兴国家亦是如此。与这些能耗相关的成本
多波形雷达回波中频模拟器方案 4月08日 第三届·无线通信技术研讨会 立即报名 12月04日 2015•第二届中国IoT大会 精彩回顾 10月30日ETF•智能硬件开发技术培训会 精彩回顾 10月23日ETF•第三届 消费
搞变频器研发前期怎么样各位老师,最近公司有个岗位正考虑是否过去发展,搞变频器研发的 ---大功率变频器(90KW以上)。 这种发展前景怎么样?不了解这个行业,请老师傅支个招。 比如干个三年,然后跳槽到深圳,能拿个30W?多谢啊!有同等档位的产品,有老家伙带,能干三年,就是很来钱的东西。 不需要去深圳就能过300Kwh6ic 发表于 2018-6-26 21:17有同等档位的产品,有老家伙带,能干三年,就是很来钱的东西。 不需要去深圳就能过300K ...多谢大神。 我网上看招聘变频器的岗位貌似