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针对工业网络和工厂自动化应用的紧凑型高速光耦

2016-05-21 12:32:17      点击次数:
上一篇:永不断电的秘密:核电池的原理探究 贴片电感

•公认的联合电子设备工程委员会(JEDEC)认证的小型5针表面封装形式(SO5)

•3.3V低功耗

•兼容LVTTL/LVCMOS

•每分钟3750 Vrms的高隔离电压,保证电气安全

•1000 V共模电压 (VCM)上的15kV/μs的最低共模抑制(CMR),在电气噪声环境中保证数据完整性

•工作速度:15MBd (典型值)

•工作电压:3.3 V; 5mA前向电流

•工作温度范围:40℃到+85℃


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    请问有哪里需要改的地方吗?运放跟输入电源,还有单片机需要一起共地吗?

    建议用变压器或自举芯片驱动全桥。
    MOS H端驱动需要自举升压。不能这样简单连接驱动。

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