六种AMOLED技术解析
该技术TFT基板在加工过程中，可采取液晶行业中常见的、成熟的大面积的溅镀成膜的方式，氧化物为InGaO3（ZNO）5，尽管这种器件的电子迁移率较LTPS技术生产出来的产品要低，基本为10 cm2/V-sec，但这个迁移率参数为非晶硅技术器件的10倍以上，该器件电子迁移率完全能够满足AMOLED的电流驱动要求，因此可以应用于OLED 的驱动。
目前金属氧化物技术还处于实验室验证阶段，世界上没有真正进行过量产的经验，主要的因素是其再现性及长期工作稳定性还需要进一步改善和确认。
（2）低温多晶硅技术（LTPS TFT）
该技术是目前世界上唯一经过商业化量产验证、在G4.5代以下生产线相当成熟的AMOLED生产技术。
该技术和非晶硅技术主要的区别是利用激光晶化的方式，将非晶硅薄膜变为多晶硅，从而将电子迁移率从0.5提高到50-100 cm2/V-s，以满足OLED电流驱动的要求。
该技术经过多年的商业化量产，产品性能优越，工作稳定性好，同时在这几年的量产中，其良品率已得到很大的提高，达到90%左右，极大的降低了产品成本。
从以上LTPS的工艺流程可以看出，其和非晶硅技术的主要区别是增加了激光晶化过程和离子注入过程，其它的加工工艺基本相同，设备也和非晶硅生产有相通之处。
另外，晶化的技术也有很多种，目前小尺寸最常用的是ELA，其它的晶化技术还有：SLS、YLA等，有的公司也在利用其它的技术研发AMOLED的 TFT基板，例如金属诱导晶化技术，也有相应的样品展出，但这一技术的主要问题是金属会导致膜层间的电压击穿，漏电流大，器件稳定性无法保证（由于 AMOLED器件是特别薄的，各层间加工时保证层面干净度，防止电压击穿是重要的一项课题）。大电流电感
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