浅析SoC芯片设计中的动态功率估算挑战
设计尺寸的增长趋势势不可挡，这也一直是EDA验证工具的一个沉重负担。动态功率估算工具即是其一。
总有一些刺激因素诱使着客户频繁升级他们的移动设备。其中包括更多功能和改进的用户体验，更具吸引力的用户界面，更轻的重量、更持久的电池寿命等等，不胜枚举。从各方面考虑，似乎持久的电池寿命位居榜首，而更长的电池寿命直接关系到更低的功耗。
自从五十年前Noyce和Kilby发明平面集成电路以来，微电子产品的功耗经历了一段稳定下降期。平面技术使得缩放（缩小）固态器件成为可能。晶体管尺寸越小，同一区域内容纳的晶体管数量就越多，切换速度就越快，所消耗的能量就会越少，而芯片运行时的温度也会越低（相较于相同数量的晶体管而言）。
“Doublegate FinFET”，作者：Irene Ringworm，发布在英语维基百科上。通过维基共享资源依据CC BY-SA 3.0协议获得授权。
在历史上，微电子产品发展的衡量标准一直着眼于场效应晶体管中源极和漏极之间硅通道的长度（被称为工艺技术节点）。上世纪60年代初，该节点为50微米。十年后，这一数字下降到了1微米以下，而到了2003年，则达到100纳米以下，开启了纳米技术时代。
在前二十年，由于漏电问题，晶体管未切换且空闲时的静态功耗远小于晶体管切换状态下的动态功耗，小到可以忽略不计。到了180纳米时，静态功耗开始飞速上升，到了2005年，由于节点降到了65纳米以下，静态功耗超过了动态功耗。大电流电感
对于SI2302手册中漏源电压和漏电流的曲线图的疑 左图是SI2302漏源电压和漏电流的曲线图，其中当VGS等于2V时，漏极电流的饱和值大约是4.5A的样子，但是在SI2302的极限值表中，漏电流ID的最大值是3A，如下图
请大家帮忙解释一
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各位大大，麻烦帮我看下这个电路用ir2110+buck
1.不加后面的mos管和buck电路，用示波器看波形，当示波器的地接到电路的地看LO输出14V PWM波，HO输出为13V直流信号。当示波器的地接VS则HO输出为互补（目测）14v pwm波。
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