电磁干扰的来源及屏蔽方法介绍
金属屏蔽效率
可用屏蔽效率（SE）对屏蔽罩的适用性进行评估，其单位是分贝，计算公式为：
SEdB=A+R+B
其中 A：吸收损耗（dB） R：反射损耗（dB） B：校正因子（dB）（适用于薄屏蔽罩内存在多个反射的情况）
一个简单的屏蔽罩会使所产生的电磁场强度降至最初的十分之一，即SE等于20dB；而有些场合可能会要求将场强降至为最初的十万分之一，即SE要等于100dB。
吸收损耗是指电磁波穿过屏蔽罩时能量损耗的数量，吸收损耗计算式为：
AdB=1.314（f×σ×μ）1/2×t
其中 f：频率（MHz） μ：铜的导磁率 σ：铜的导电率 t：屏蔽罩厚度
反射损耗（近场）的大小取决于电磁波产生源的性质以及与波源的距离。对于杆状或直线形发射天线而言，离波源越近波阻越高，然后随着与波源距离的增加而下降，但平面波阻则无变化（恒为377）。
相反，如果波源是一个小型线圈，则此时将以磁场为主，离波源越近波阻越低。波阻随着与波源距离的增加而增加，但当距离超过波长的六分之一时，波阻不再变化，恒定在377处。
反射损耗随波阻与屏蔽阻抗的比率变化，因此它不仅取决于波的类型，而且取决于屏蔽罩与波源之间的距离。这种情况适用于小型带屏蔽的设备。
近场反射损耗可按下式计算：
R（电）dB=321.8-（20×lg r）-（30×lg f）-［10×lg（μ/σ）］
R（磁）dB=14.6+（20×lg r）+（10×lg f）+［10×lg（μ/σ）］
其中 r：波源与屏蔽之间的距离。
SE算式最后一项是校正因子B，其计算公式为：
B=20lg［-exp（-2t/σ）］
此式仅适用于近磁场环境并且吸收损耗小于10dB的情况。由于屏蔽物吸收效率不高，其内部的再反射会使穿过屏蔽层另一面的能量增加，所以校正因子是个负数，表示屏蔽效率的下降情况。大电流电感
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