GaN FET与硅FET的比较
SOA曲线
TI有一个系列的标准占板面积的功率MOSFET、 DualCool？ 和NexFETs？。这些MOSFET通过它们封装顶部和底部散热，并且能够提供比传统占板面积封装高50%的电流。这使得设计人员能够灵活地使用更高电流，而又无需增加终端设备尺寸。与硅FET相比，GaN FET的一个巨大优势就是可以实现的极短开关时间。此外，减少的电容值和可以忽略不计的Qrr使得开关损耗低很多。在器件开关时，电压乘以电流所得值的整数部分是器件必须消耗的功率。更低的损耗意味着更低的器件温度和更大的SOA。
SOA曲线所圈出的另外一个重要区域受到Rds-On的限制。在这个区域内，器件上的电压就是流经器件的电流乘以导通电阻。在图1所示的SOA曲线示例中，Rds-On为100毫欧。硅MOSFET的温度取决于它们的Rds-On，这一点众所周知。在器件温度从25oC升高至大约100oC时，它们的Rds-On几乎会加倍。
动态Rds-On
GaN FET具有一个复杂的Rds-On，它是温度，以及电压和时间的函数。GaN FET的Rds-On对电压和时间的函数依赖性被称为动态Rds-On。为了预测一个GaN器件针对目标使用的运行方式，很有必要监视这些动态Rds- On所带来的影响。与SOA曲线的温度引入应力相类似，电感硬开关应力电路比较适合于监视Rds-On。这是因为很多潜在的器件退化是与高频开关和电场相关的。
图2是一个简单开关电路，这个电路中给出了一种在SOA右上象限内实现循环电流，并对器件施加应力的方法。
图2：电感硬开关测试电路
宽带隙
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