GaN FET与硅FET的比较
GaN 是一种宽带隙材料，与硅材料的1.12eV的带隙相比，它的带隙达到3.4eV。这个宽带隙使得器件在被击穿前，能够支持比同样大小的硅器件高很多的电场。某些器件设计人员常用来帮助确定器件可靠性的测试有高温反向偏置 （HTRB）、高温栅极偏置 （HTGB） 和经时电介质击穿 （TDDB）。这些都是静态测试，虽然在验证器件设计有效性方面是好方法，但是在高频开关动态效应占主导地位时，就不能代表典型使用情况。高温工作寿命 （HTOL） 是器件开关过程中的动态测试。特定的工作条件由制造商确定，但是这些工作条件通常处于某些标称频率、电压和电流下。
早期对于 GaN针对RF放大器的使用研究发现了一个性能退化效应，此时器件能够传送的最大电流被减少为漏极电压偏置的函数。这个随电压变化的（捕获引入）效应被称为“电流崩塌”。在缓冲器和顶层捕获的负电荷导致电流崩塌或动态Rds-On增加。在施加高压时，电荷可被捕获，并且在器件接通时也许无法立即消散。已经采用了几个器件设计技巧（电场板）来减少大多数灵敏GaN FET区域中的电场强度。电场板已经表现出能够最大限度地减小RF GaN FET和开关功率GaN FET中的这种影响。
GaN是一种压电材料。GaN器件设计人员通过添加一个晶格稍微不匹配的AIGaN缓冲层来利用这个压电效应。这样做增加了器件的应力，从而导致由自发和压电效应引起的极化场。这个二维电子气 （2DEG） 通道就是这个极化场的产物。具有2DEG通道的器件被称为高电子迁移晶体管 （HEMT）。不幸的是，在器件运行时，高外加电场也会导致有害的压电应力，从而导致另外一种形式的可能的器件退化。对于诸如GaN的新技术来说，拥有一个证明可靠性的综合性方法很重要。如需了解与TI计划相关的进一步细节，请参考Sandeep Bahl的白皮书，一个限定GaN产品的综合方法。大电流电感
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