GaN FET与硅FET的比较
为了降低成本，功率GaN目前采用的是6英寸硅基板。由于硅和GaN晶格不匹配，会出现线程脱位。这会导致晶格缺陷，并增加捕获的可能性。这些捕获的影响取决于它们的数量和在器件中的位置。捕获状态，占据或非占据，也是施加的电场和时间的一个函数。捕获充放电可能在最短100ns到最长数分钟的时间范围分布。最接近栅极区域的捕获充电和放电会调制器件的转导。所有这些效应是GaN FET的Rds-On的复杂电压和时间相关性的基础。在限定期间，工程师通常在延长的期间内对器件施加DC应力，并且定期移除这一应力，以描述单个半导体测试的情况。移除器件电压偏置，即使只有几秒钟的时间，也可以实现某些捕获放电，这样的话，就不会影响到与实际运行相关的动态Rds-On值了。
总结
与硅FET相比，功率GaN FET具有很多优势，比如说更低的开关损耗和更高的频率切换能力。更高的开关频率可被用来增加系统的电源转换密度。要限定一个正在使用功率GaN FET的系统，设计人员应该了解可能的退化源，并随时监视它们在温度变化时的影响。一个监视动态Rds-ON增加的简单方法就是测量时间和电压变化过程中的转换过程的效率。为了更好地了解损耗出现的位置，系统被设计成能够实时监视漏极、栅极、源极和器件电流波形。此系统能够通过它们的SOA，以1MHz以上的频率，在电压高达1000V和电流高达15A时，硬开关FET。
捕捉和分析实时波形可以帮助我们更好地理解高频效应，比如说 dv/dt、栅极驱动器电感和电路板布局布线，这些在基于GaN的设计中都很关键。监视时间和温度范围内趋势变化的实时信息能够为我们提供更好的GaN FET退化信息，并使我们对于更加智能器件和控制器产品的需求有深入的理解。大电流电感
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