导入栅极屏蔽结构 沟槽式MOSFET功耗锐减
更高系统效率和功率密度，是现今数据和电信电源系统设计的首要目标。为达此一目的，半导体开发商研发出采用栅极屏蔽结构的新一代沟槽式金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），可显著降低全负载及轻负载时的功率损耗。
如何得到更高的系统效率和功率密度，是现代数据和电信电源系统的核心关键，因为一个小而高效率的电源系统，可以有效节省空间与能源费用。从拓扑结构的角度来看，变压器将交流电转换成直流电的同步整流，是许多应用中开关电源二次侧的主要模组架构，此能改善能源转换中的导通损耗和开关损耗。从元件的角度来看，功率金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）在过去十年有长足的进步，也因而衍生出新的拓扑结构和高功率密度电源。同步整流MOSFET之主要需求如下：
。低沟槽通态电阻RDS（ON）
。低栅极电荷QG
。低反向恢复电荷QRR和共源极输出电容COSS
。较不活跃的体二极体特性
。低闸漏电Qgd/栅极电荷Qgs比
封装方式影响MOS功耗
目前有半导体厂商采用栅极屏蔽（Shielded Gate）技术，设计出高功率的MOSFET，如快捷半导体的PowerTrench MOSFET。本文以PowerTrench MOSFET为例，对于伺服器电源的同步整流或电信整流器的功率损耗深入分析。
。导通损耗
如果MOSFET产品的导通电阻和汲极电流低于二极体的正向电压降，同步整流的功率损耗也会较低。因此，二次侧的同步整流是提高系统效率的极佳解决方案。透过下列公式1，可以计算出导通损耗：
公式1
利用现今主流的中电压MOSFET技术，依额定电压进行TO-220标准封装，可使RDS（ON）降低至1？2毫欧姆（mohm），而高电压 MOSFET相关的封装电阻，目前则尚未受到重视。不同于高电压MOSFET，中电压MOSFET的封装本身由于打线（Bonding）、接脚 （Lead）和源极金属（Source Mental）等因素，也占了总阻抗的一部分。透过Power56等SMD封装，可以显著降低中电压MOSFET的总导通电阻，并同时降低封装电感以减少电压突波。大电流电感
采用多模设计无线充电兼顾效率与便利性 4月08日 第三届·无线通信技术研讨会 立即报名 12月04日 2015•第二届中国IoT大会 精彩回顾 10月30日ETF•智能硬件开发技术培训会 精彩回顾 10月23日ETF•第三届 消费
威尔凯变频在空压机节能改造应用
一、前言
空气压缩机是一种利用电动机将气体在压缩腔内进行压缩并使压缩的气体具有一定压力的设备。作为基础工业装备，空压机在冶金、机械制造、矿山、电力、纺织
支持向量机优化基于K-means的蚁群聚类算法 摘 要： 基于K-means算法思想改进蚁群聚类算法聚类规则，提出一种新的K-means蚁群聚类算法，并通过实验验证其聚类效果；引入具有全局最优性的支持向量机SVM，取各类中心附近适当数据训练支持
在线客服1