导入栅极屏蔽结构 沟槽式MOSFET功耗锐减
。栅极驱动损耗
栅极驱动器驱动损耗与栅极电荷QG息息相关。在低电压应用中，驱动损耗可能占总功率损耗的大部分，因为相较于高压开关，此时电压开关仅有极低的导通损耗。在轻载情况下，导通损耗最小，故驱动损耗更为重要。众所周知，透过下列公式2可以计算出驱动损耗：
公式2
在同步整流中，电流于导通期间从MOSFET的源极流到汲极，而在死区时间（Dead Time）则流经体二极体。由于MOSFET是软开关，在开关的开启和关闭瞬间dVds/dt为零，所以同步整流时电源MOSFET的栅极-源极电压并没有高原区。因此，在SR、QSYNC间产生的栅极电荷，其大小约等于栅极电荷之栅极-漏极QGD减去总栅极电荷QG。如表1所示，最新栅极屏蔽沟槽 MOSFET的QSYNC相较于传统沟槽栅极MOSFET与75V/3.3m对照元件，可分别降低28%与34%。图1显示上述三种元件的驱动损耗和导通损耗之损耗率比较。测试环境为12伏特（V）同步整流平台，栅极驱动电压为10V，开关频率为100kHz。其中两个同步开关，在10%输出负载条件下，其栅极驱动损耗是导通损耗的三倍以上。由图1可知，栅极屏蔽MOSFET可以大大降低在轻负载条件下因为小QSYNC所产生的驱动损耗。
图1 依输出负载的损耗率比较
。体二极体损耗
在死区时间，体二极体为导通。体二极体导通时会产生可观的功率损耗，因为相较于MOSFET通道，P-N接面造成的电压降更高。体二极体在死区时间导通所造成的功率损耗，会明显降低整体效率，特别是在低电压和高频率时，其导通损耗可由公式3得知： 大电流电感
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