保护升压负载及其电源
图4. 支持集成涌入电流限制的升压控制器。
为最差情况选择一个MOSFET
任何一个限制方法都需要缜密设计，以确保方案的稳健耐用，特别是要注意耗电器件。在使用MOSFET时，请确保将器件的安全工作区考虑在内。设定电流只是其中一个需要考虑的参数。在选择MOSFET时，峰值关断电压（漏/源电压），以及MOSFET将处于极端条件组合之中的时间长度等因素都需要考虑在内。
根据系统设计要求的不同，用下方的方程式，通过计算这些情况下（涌入、输出短路和突然电路断开）保护器件上的峰值能量，来帮助选择一个具有足够能量的MOSFET。
针对涌入注意事项的充电电能为：
在这里：
EINRUSH = 以J为单位的输出电容器充电电能。
COUT = 以F为单位的最大输出电容值。
VINMAX = 以V为单位的最大输入电源电压。
虽然输出电容器充电电流的最差情况在最初看起来与短路情况相类似，在MOSFET上真正的短路故障条件会更加严格。MOSFET必须能够耐受的短路能量取决于：
在这里：
ESHORT = 以J为单位的短路保护能量。
IINRUSH（TH） = 以A为单位的涌入电流限制阀值。
tDELAY = 以秒为单位的延迟时间。
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开关电源电路中拓扑电感的Saber仿真辅助设计
一、（输入输出）滤波网络在电路中的地位
拓扑电感（变压器）是拓扑需要，滤波电感是纹波需要，只有当拓扑电感不足以满足纹波要求时，才使用滤波电感（增加LC滤波网络）。
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