随着射频集成电路（RFIC）中集成的元件不断增多，噪声耦合源也日益增多，使电源管理变得越来越重要。本文将描述电源噪声可能对RFIC性能造成的影响。虽然本文的例子是集成锁相环（PLL）和电压控制振荡器（VCO）的ADRF6820正交解调器，但所得结果也适用于其他高性能RFIC。

　　电源噪声会在解调器中形成混频积，因而可能导致线性度下降，并对PLL/VCO中的相位噪声性能造成不利影响。本文将详细描述电源评估方案，同时提供采用低压差调节器（LDO）和开关调节器的推荐电源设计。

　　凭借双电源和超高RF集成度，ADRF6820是适合讨论的一款理想器件。它使用的有源混频内核与ADL5380正交解调器相似，PLL/VCO内核与ADRF6720相同，因此，本文所提供信息也可用于这些器件。另外，电源设计也可用于要求3.3 V或5.0 V电源、功耗相似的新型设计。

　　ADRF6820正交解调器和频率合成器（如图1所示）非常适合新一代通信系统。该器件功能丰富，包括一个高线性度宽带I/Q解调器、一个集成小数N分频PLL和一个低相位噪声多核VCO。另外集成一个2:1 RF开关、一个可调谐RF巴伦、一个可编程RF衰减器和两个LDO。这款高度集成的RFIC采用6 mm × 6 mm LFCSP封装。

　　图1. ADRF6820简化功能框图

　　电源灵敏度

　　受电源噪声影响最大的模块为混频器内核和频率合成器。耦合至混频器内核的噪声会形成无用信号，结果会导致线性度和动态范围下降。这对正交解调器尤其重要，因为低频混频积在目标频带之内。类似地，电源噪声可能导致PLL/VCO相位噪声性能下降。无用混频产物和相位噪声性能下降是多数混频器和频率合成器的常见问题，但确切的下降幅度取决于芯片的架构和布局。了解这些电源灵敏度有利于设计出更加鲁棒的电源，使性能和效率达到最优。大电流电感

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