保护升压负载及其电源
将MOSFET用作保护器件的第二个优点在于实现了一个原始的输入过压保护电路 (/)。通过在MOSFET的栅极上连接一个适当选择的齐纳二极管,FET的栅源电压被二极管箝制,这使得MOFET随着电源电压的增加被拉回到电阻运行。二极管的击穿电压设定了有效的输出电压钳位值。MOSFET在电阻区内运行为线性稳压器,不过有一点需要注意,那就是所允许的最大箝位时间受到MOSFET属性的限制。
参考文献
1. 下载数据表:LM5121, LM5069
2. 用宽VIN LM5121设计故障保护电路,应用报告 (SNVA726),德州仪器 (TI),2015年1月
3. 具有低静态电流的LM5060高侧保护电路 (SNVS628),德州仪器 (TI),2013年4月
4. CSD19536KCS 100V N沟道NEXTFETTM 功率MOSFET (SLPS485),德州仪器 (TI),2014年10月
5. 稳健耐用的热插拔设计,应用报告 (SLVA673),德州仪器 (TI),2014年11月
6. 用于高效功率放大器的GaN器件,T. Kikkawa等,富士通科学与技术期刊,第48卷,第1期,2012年1月
7. 升级板上12V电源将为48V电力供应铺路,Frost&Sullivan,2012年6月
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作者:德州仪器 (TI), Daniel Braunworth, Eric Lee
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拓扑电感(变压器)是拓扑需要,滤波电感是纹波需要,只有当拓扑电感不足以满足纹波要求时,才使用滤波电感(增加LC滤波网络)。