探析晶硅光伏电池漏电的原因
图2是利用P/N结光生伏特效应做成的理想光电池的等效电路图。
图中把光照下的p-n结看作一个理想二极管和恒流源并联，恒流源的电流即为光生电流IL，由于前面和背面的电极和接触，以及材料本身具有一定的电阻率，基区和顶层都不可避免的要引入附加电阻。流经负载的电流，经过它们时，必然引起损耗。在等效电路中，可将它们的总效果用一个串联电阻RS来表示。由于电池边沿的漏电和制作金属化电极时，在电池的微裂纹、划痕等处形成的金属桥漏电等，使一部分本应通过负载的电流短路，这种作用的大小可用一并联电阻RSH来等效。本文主要研究的就是在实际太阳电池生产中的漏电原因。
二、晶体硅太阳电池漏电分析
从晶体硅太阳电池生产工艺流程看，以下几个因素与电池片漏电有关：1）刻蚀不完全或未刻蚀；2）点状烧穿；3）印刷擦片或漏浆。对上述三方面进行实验研究，在研究过程中发现除了以上三种漏电原因外，还有Si3N4颗粒、多晶晶界等也会造成电池片漏电。
1、刻蚀不完全或未刻蚀造成的漏电
扩散工艺中在硅片的上表面和周边都扩散上了N型结，如果不去除周边的N型结会导致电池片正负极被周边的N型结联接起来，使电池正负极接通，起不到电池的作用了，我们用等离子刻蚀去除太阳能电池的周边结，其腐蚀反应方程为：
CF4------C+4F*（1）
Si+4F------SiF4*↑（2）大电流电感
可变电感线圈通常采用方法可变电感线圈通常采用方法。电感传感是一项非接触传感技术，不仅可用来测量位置、运动以及金属或导体目标的构成，而且还可用来检测弹簧的压缩、扩张与扭曲度。电感传感技术应用
单相全桥逆变电路图，楼主小白，请大神指教
请问有哪里需要改的地方吗？运放跟输入电源，还有单片机需要一起共地吗？
建议用变压器或自举芯片驱动全桥。
MOS H端驱动需要自举升压。不能这样简单连接驱动。
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