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三种IGBT驱动电路和保护方法详解

2016-11-25 09:48:48      点击次数:
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  三种IGBT驱动电路和保护方法详解

  典型接线方法如图2,使用时注意如下几点:

  a、IGBT栅-射极驱动回路往返接线不能太长(一般应该小于1m),并且应该采用双绞线接法,防止干扰。

  b、由于IGBT集电极产生较大的电压尖脉冲,增加IGBT栅极串联电阻RG有利于其安全工作。但是栅极电阻RG不能太大也不能太小,如果 RG增大,则开通关断时间延长,使得开通能耗增加;相反,如果RG太小,则使得di/dt增加,容易产生误导通。

  c、图中电容C用来吸收由电源连接阻抗引起的供电电压变化,并不是电源的供电滤波电容,一般取值为47 F。

  d、6脚过电流保护取样信号连接端,通过快恢复二极管接IGBT集电极。

  e、14、15接驱动信号,一般14脚接脉冲形成部分的地,15脚接输入信号的正端,15端的输入电流一般应该小于20mA,故在15脚前加限流电阻。

  f、为了保证可靠的关断与导通,在栅射极加稳压二极管。

  M57959L/M57962L厚膜驱动电路

  M57959L/M57962L厚膜驱动电路采用双电源(+15V,- 10V)供电,输出负偏压为-10V,输入输出电平与TTL电平兼容,配有短 路/过载保护和 封闭性短路保护功能,同时具有延时保护特性。其分别适合于驱动1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其 以下的 IGBT.M57959L/M57962L在驱动中小功率的IGBT时,驱动效果和各项性能表现优良,但当其工作在高频下时,其脉冲前后沿变的较差,即信 号的最大传输宽度受到限制。且厚膜内部采用印刷电路板设计,散热不是很好,容易因过热造成内部器件的烧毁。

  日本三菱公司的M57959L集成IGBT专用驱动芯片它可以作为600V/200A或者1200V/100A的IGBT驱动。其最高频率也达40KHz,采用双电源 供电(+15V和-15V)输出电流峰值为±2A,M57959L有以下特点:大电流电感

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