基于SCR结构的纳米工艺ESD防护器件研究
2 LVTSCR结构概述LVTSCR是最早应用于ESD防护的SCR结构之一，其结构特点是SCR中内嵌了一个GGNMOS的结构（图1），带来的好处是触发电压的大幅度降低，基本能够将SCR的触发电压降低到同工艺下的GGNMOS的水平。
一个65nm工艺下的典型50um单叉指LVTSCR的TLP测试曲线如图2所示。该LVTSCR 的回滞点在6.8V，维持电压点2.6V.50um单叉指的It2能够达到2.4A.为对于图2中回滞点附近放大部分的曲线观察可以看到早在不到6V 时，LVTSCR就已经呈现开启的状态，有微弱的电流流过LVTSCR.6V左右的开启电压这与同样线宽下的GGNMOS触发电压是非常接近的，这部分电流正是在瞬态ESD条件下流过LVTSCR沟道部分的电流。
正是因为有了内嵌的栅结构，使得LVTSCR能够获得与相同工艺下GGNMOS一样的触发，实现低电压开启的目的。另外还是要注意到，尽管采用了内嵌栅实现触发电压的降低，LVTSCR的维持电压依旧是比较低的，如此低的维持电压非常容易发生闩锁效应，为此必须对LVTSCR进行提高维持电压的设计。
对于SCR结构，最为常用的提高维持电压的方法就是拉伸SCR中两个寄生三极管结构的基区宽度。
通过降低三极管的电流放大能力来减弱SCR开启后正反馈的效果，最终达到提高维持电压的目的。
图3（a）中的Dl控制的是LVTSCR的寄生NPN三极管的基区宽度。通过不断增加D1的宽度，可以获得具有高维持电压的LVTSCR结构。图4中实心部分的曲线就是采用了不同Dl的LVTSCR所获得的TLP测试曲线，可以观察到随着D1从 lure增加到4um，LVTSCR的维持电压从最低的3.2V增加到了5V.如此高的维持电压仅与触发电压有着不到2V的工作区间，避免了ESD防护失效和闩锁效应的发生。大电流电感
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