基于SCR结构的纳米工艺ESD防护器件研究
尽管达到了提高维持电压的目的，图3（a）中的方法毕竟还是缺乏效率。因为只是在横向上增加器件的宽度，所以带来的是ESD器件整体面积的增大，这对于目前寸土寸金的IO口来说，显然是一种不能够接受的方案。为了更好地利用起硅片面积，做到有效提高维持电压的目的，本文提出了一种通过增加浮空N阱从纵向上也增加基区宽度的方法，如图3（b）所示。在拉伸后的Dl区间增加一个N阱结构，该N阱结构因为在电位上不与阳极或者阴极相连，所以其电位上是浮空的。如图3（b）中虚线部分所示，浮空N阱的加入使得基区宽度不再是横向上的一段距离，而是要加上两段N 阱的深度。在版图上，该改进结构并未增加任何的面积，是一种非常有效率的提高维持电压的方案。通过图4中空心曲线与实心曲线的对比我们可以看到：相比同样宽度的LVTSCR，增加了浮空N阱的LVTSCR的维持电压要高的多，维持电压的提高从0.3V至1v不等。
采用TCAD仿真分析，可以看到增加了浮空N阱后LVTSCR内触发电流的流向。因为在浮空N阱与 P型衬底之间会形成反型层隔绝电流经过，所以流经此处的电流必须饶果果浮空N阱的底部从阳极流向阴极，即电流路径被人为地延长了，这也是为什么增加浮空N 阱能够有效增加基区宽度，提高维持电压的原因。
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