数字万用表应用策略
2.10 必须明确电阻挡的弱电流特性
数字万用表电阻挡的内阻很高，它所提供的测量电流固然非常微弱（如20kΩ挡：DT—830型为75μA；DT—840D型为60μA）。如果使用该电阻挡测量半导体器件各个电极之间的阻值，实际上测量电流在半导体器件内部的作用根本无法克服其PN结的死区电压，由此测出的阻值要比模拟式万用表测出的阻值高出许多，而且两者之间不存在线性比例关系，没有任何的可比性，所以构不成判别其好坏的可靠依据。因此不能用数字万用表的电阻挡来判别半导体器件的性能，应当改换到二极管测试挡进行判别，而且这是专为测量半导体器件而设贴片电感器的。
2.11 必须明确hFE测试挡的适用范围
数字万用表的hFE挡测量的是晶体三极管共发射极直流电流放大系数，由于能直接以数字形式显示出hFE值，对于鉴别和选用晶体三极管来说，实在是太方便了，但鲜为人知的是该挡仅适合于测量小功率晶体三极管的hFE ，而不适用于大、中功率晶体三极管的hFE的测量，其原因分析如下。
图2
以DT1000型数字万用表为例，图2是其 hFE 测试电路原理图。8芯插座专门为插接被测管子而设，每组E、B、C、E的四个插孔按照PNP、NPN分左右两个区域排列，两个E孔已在仪表的内部连通；R35为NPN型被测管子的基极偏置电阻；R36为PNP型被测管子的基极偏置电阻；被测管子的工作电源取自V+至COM之间的电位差，其典型值为E0 =3.2V；R34为被测管子的负载电阻，亦即 hFE 测量取样电阻；IC1的IN+和IN－与COM 等端子在此组成200mV 基本表，用以显示由R34转换而成的取样电压。从图2的基极偏置电路可求得被测管子的基极偏置电流，以PNP型硅管为例，并设被测管子的UBE=0.55V，则： 大电流电感
dpa424gn 我现在刚做的开关电源出现了这样的情况，就是dpa424gn的芯片控制脚c端电压从5.8V降到了5.0V，导致的原因是什么？求分析！
我也正在用这个芯片做开关电源，你用的什么软件画
电源设计小贴士 24：并-串联阻抗转换作者：Robert Kollman，德州仪器 (TI)
关键词：电源设计小贴士、电源管理、模拟、半导体、电源、控制环路、 Robert Kollman、德州仪器、TI
本《电源设计小贴士》将向您介绍如何
照明AC-DC LED驱动电源电路精析 —电路图天天读电子发烧友为您提供的照明AC-DC LED驱动电源电路精析 —电路图天天读（129），由于LED总光效要求及散热限制，能效对低功率应用尤其重要;许多情况下，即使是较低功率应用也要求功率因数校正和谐波处理;在空间受限应用中。
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