硅光子芯片设计突破结构限制瓶颈
当今的硅光子芯片必须采用复杂的制造制程连接光源与芯片，而且也和晶圆级堆栈密不可分。然而，德国慕尼黑工业大学（Technical University of Munich；TUM）的科学家们最近宣称，他们已经成功地在芯片上直接生长出直径360nm的垂直纳米激光器。这为在CMOS电路上的光子组件整合开启了新的光学端口。
由于各种材料具有不同的晶格参数以及不同的热膨胀系数，在硅晶上生长III-V族半导体经常导致应变并产生大量的缺陷，使得这些分层并不适用于打造可用的设备。
慕尼黑工业大学的研究团队首先单独在直径仅40-50nm占位空间的芯片上沉积砷化镓（GaAs）纳米线，以符合250nm二氧化硅（SiO2）交错层中的播种小孔直径。然后在透过可控制的横向生长选择性扩展GaAs纳米线直径以前，再用分子束外延（MBE）生长长度约10um 的内部核心纳米线至同轴雷射结构中。
GaAs/AlGaAs纳米线（c）通过外部光泵的（a）尺寸测量与（b）雷射实验的SEM图
透 过改变其化学成份，研究人员们透过沉积多个六角形GaAs-AlGaAs核-壳（core-shell）结构，顺利打造出多层的量子阱（QW）。他们展示 在75nm厚的AlGaAs阻障层之间夹层8nm厚的GaAs QW，以及由7层8nm GaAs QW组成并以10nm AlGaAs阻障层隔离的多量子阱雷射结构。
（a） 同轴GaAs-AlGaAs多层QW纳米线异质结构；（b）在Si上生长雷射结构的SEM影像；（c）相同结构的HAADF-STEM影像横截面，明亮处 是GaAs层，黑暗处则为AlGaAs区域；（d）相邻GaAs QW与AlGaAs阻障层的原子序对比（Z-contrast）功能与放大影像大电流电感
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望推荐一个频率调制的谐振变换器的项目作为毕业 现在要决定毕业设计的课题，由于我想做频率调制的谐振变换器方面的课题，但是学校老师没有懂这方面的，
所以想请教各位电源友们，做过这方面项目的，给个好建议（举一些具体项目
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