硅光子芯片设计突破结构限制瓶颈
在这两种设计中，核-壳层GaAs-AlGaAs纳米线仍以内部核心连接至硅基底，延伸至整个二氧化硅交错层（作为雷射作业的镜像）。在先前的作业中，研究人员们研究了分离式GaAs-AlGaAs核壳纳米激光器，并表征与探索其原生的特性与性能。
这项主题为“具有外延增益控制的同轴GaAs-AlGaAs核壳纳米线雷射”（Coaxial GaAs-AlGaAs core-multishell nanowire lasers with epitaxial gain control）的最新论文日前已发布于《应用物理快报》（Applied Physics Letters），研究人员们在文中展示成功在室温下以纳米线于硅基上实现近红外线雷射作业（采用调整至780nm的 Ti：蓝宝石雷射透过外部光激发）。
接下来，研究人员们希望透过化学抛光或沉积介电Bragg反射镜，从而改善纳米线雷射性能。此外，在实际应用时，激光器应该单向发射至可嵌套图案光子硬件（包括芯片波导）的底层硅。至于实际的整合，研究人员还需要电注入。“我们目前的研究目标专注于开发可在硅晶上实现电气泵纳米线激光器的方法，以及可发至底层光子电路的整合型激光器。截至目前为止，这些组件都是光子泵，但他们 是有选择性地在硅基底上在生长，”慕尼黑工业大学教授Jonathan J. Finley表示，“我们已经申请硅晶纳米线激光器的基本技术专利了，对于授权IP给相关产业也相当感兴趣。”
大电流电感电池组管理实现了另一次飞跃
对电动汽车可行性的怀疑已经平息很久了。现在的主要问题是：“新型大功率电池技术可渗透多远、多宽和多深?”也许答案并不令人意外，没人真正知道确切的结果。不过，考虑一
7812输出压降过大
稳压管后得13V 经过7812带载只有10.5V，去掉阻容降压部分，用12V电源供电效果一样，KA7812也换了几只了，效果还是相同，到底还有什么其它原因造成？请各位老师指教。
这个很正
望推荐一个频率调制的谐振变换器的项目作为毕业 现在要决定毕业设计的课题，由于我想做频率调制的谐振变换器方面的课题，但是学校老师没有懂这方面的，
所以想请教各位电源友们，做过这方面项目的，给个好建议（举一些具体项目
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