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eGaN FET与硅功率器件比拼之隔离型PoE-PSE转换器

2016-05-20 12:00:10      点击次数:
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图1:半砖转换器达到指定输出功率时所需的最低效率(假设最大功耗为35W)。

比较不同的隔离型PoE-PSE转换器

在尝试比较半砖PoE-PSE转换器时,不可能进行简单的一对一比较,因为不同的商用转换器具有非常多样化设计。每一代电源的输出功率都有所提高,因为制造商的“最优”设计都在结构、版图和拓扑等方面进行了改进。要确定“最佳”解决方案是一个反复的过程,而“最佳”解决方案的定义也不尽相同,进一步增加了问题的复杂性。半砖应用的设计是多样化的,一个极好的例子是选择搭建两个交错式转换器还是搭建单个转换器。另外,目前的商用产品都有使用单级转换或两级转换的方法。

对于较大的砖块尺寸(比如半砖尺寸),其输出功率和转换器的总功耗足够地高,以致每个开关通常要求使用多个功率器件——从所需热管理的角度,及最小导通电阻(最大晶片尺寸)的角度来看也是一样。如果转换器被划分为两个(每个负责一半的功率),那么功率器件的总数量将不会受到影响。使用更多电感和变压器的成本和体积增加也有问题,因为这些器件更小,并且转换器的交错可允许输出电容减小。此外,砖块的尺寸(特别是高度的限制)意味着单个大功率变压器的高度受限,与两个较小变压器的磁芯相比,其磁芯通道的长度可能不是最优。其余的差异(栅极驱动和控制)将有可能成为决定性的因素,也就是说,我们能否接受增加成本来实现更高的效率及输出功率?

就像八分之一砖式转换器那样,开发基于eGaN FET转换器不一定是一般的最优解决方案。相比目前的商用系统,我们的设计目标是把工作频率提高许多,用于展示eGaN器件能够帮助擅长于电源设计的工程师开发出具有更高效率和更高输出功率的最先进的新一代产品。大电流电感

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