eGaN FET与硅功率器件比拼之隔离型PoE-PSE转换器_贴片电感_功率电感

2016-05-20 12:00:10 点击次数：

图3：采用基于eGaN FET原型设计的半砖PSE转换器在单相(一半转换器断电)和正常两相工作时的效率数据。(电子系统设计)

图3：采用基于eGaN FET原型设计的半砖PSE转换器在单相（一半转换器断电）和正常两相工作时的效率数据。

图4：采用eGaN FET设计、工作在250kHz开关频率的八分之一砖式、38 V~60 V至53 V/70W转换器的原理图。(电子系统设计)

图4：采用eGaN FET设计、工作在250kHz开关频率的八分之一砖式、38 V~60 V至53 V/70W转换器的原理图。

图5：采用eGaN FET设计的48V至53V半砖PSE转换器的顶视图和底视图(单位为英寸)。(电子系统设计)

图5：采用eGaN FET设计的48V至53V半砖PSE转换器的顶视图和底视图（单位为英寸）。

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