(2)它的形成过程。系统级芯片形成或产生过程包含以下三个方面：

　　①基于单片集成系统的软硬件协同设计和验证；

　　②利用逻辑面积技术使使用和产能占有比例有效提高，即开发和研究IP核生成及复用技术，特别是大容量的存储模块嵌入的重复应用等；

　　③超深亚微米(UDSM)、纳米集成电路的设计理论和技术。

　　因此，SOC是将信息处理的算法、逻辑电路的结构、各个层次的电路以器件的方式集成在一块芯片上，从而具备整机的功能。这里包括：

　　①算法功能的突破。增加模糊算法、神经元算法以及安全算法。

　　②电路结构突破。因CMOS有很长的生命力，由于引入RF和Flash等又将有新的发展。

　　具体地说，SOC设计的关键技术主要包括总线架构技术、IP核可复用技术、软硬件协同设计技术、SOC验证技术、可测性设计技术、低功耗设计技术、超深亚微米电路实现技术等；此外，还要做嵌入式软件移植、开发研究等。

　　下面再介绍芯片SOC技术的发展现状及其在安防集成中的应用。

芯片SOC技术的发展现状

　　集成电路(IC)的发展已有40多年的历史，它一直遵循着1965年摩尔提出的规律增长，即集成电路中晶体管的数目每18个月增加一倍。每2～3年制造技术更新一代，这是基于栅长不断缩小的结果，器件栅长的缩小又基本上依照等比例缩小的原则，并促进其它工艺参数的提高。现按此规律，集成电路的基本单元CMOS器件已进入超深亚微米乃至纳米加工时代(即器件的栅长小于50nm)。由于信息市场的需求和微电子自身的发展，引发了以微细加工(集成电路特征尺寸不断缩小)为主要特征的多种工艺集成技术和面向应用的系统级芯片的发展。随着半导体产业进入纳米加工时代，在单一集成电路芯片上就可以实现一个复杂的电子系统，诸如手机芯片、数字电视芯片、DVD芯片等等。 大电流电感

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